SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共25条,第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo, J;  Gong, JH;  Zhang, XY;  Ji, A;  Xie, CS;  Zhang, TX
Adobe PDF(604Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:514/105  |  提交时间:2015/05/11
提高GaN基pin结构性能的紫外探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉;  梁骏吾;  李向阳;  龚海梅
Adobe PDF(577Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1274/183  |  提交时间:2009/06/11
提高GaN基肖特基结构性能的紫外探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉;  梁骏吾;  李向阳;  龚海梅
Adobe PDF(560Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1417/179  |  提交时间:2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈亮;  亢勇;  赵德刚;  李向阳;  龚海梅
Adobe PDF(296Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1026/344  |  提交时间:2010/11/23
背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉;  梁骏吾;  李向阳;  龚海梅
Adobe PDF(368Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1253/155  |  提交时间:2009/06/11
提高铝镓氮材料质量的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉;  梁骏吾;  李向阳;  龚海梅
Adobe PDF(277Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1316/177  |  提交时间:2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Zhang SM;  Liang JW;  Yang H;  Li X;  Li XY;  Gong HM;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(70Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1231/342  |  提交时间:2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  高玉竹;  龚秀英;  陈涌海;  吴俊
Adobe PDF(196Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:755/264  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Liu, ZS (Liu, Z. S.);  Zhu, JJ (Zhu, J. J.);  Zhang, SM (Zhang, S. M.);  Jiang, DS (Jiang, D. S.);  Yang, H (Yang, Hui);  Liang, JW (Liang, J. W.);  Li, XY (Li, X. Y.);  Gong, HM (Gong, H. M.);  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(581Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1202/412  |  提交时间:2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL (Wang X. L.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Li XY (Li X. Y.);  Gong HM (Gong H. M.);  Yang H (Yang H.);  Liang JW (Liang J. W.);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: WXL@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(654Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1102/336  |  提交时间:2010/04/11