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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Guo, LC
;
Wang, XL
;
Wang, CM
;
Mao, HL
;
Ran, JX
;
Luo, WJ
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Fang, CB
;
Hu, GX
;
Guo, LC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lcguo@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fang CB (Fang Cebao)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XY (Wang Xiaoyan)
;
Li JP (Li Jianping)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Li CJ (Li Chengji)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zanguo)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Mao HL (Mao Hongling)
;
Fang CB (Fang Cebao)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Ran JX (Ran Junxue)
;
Li HP (Li Hanping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang, Zhanguo)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Deep levels in high resistivity GaN epilayers grown by MOCVD
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Wang, JX
;
Liu, C
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Li, JP
;
Li, CJ
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Thermally Stimulated Current
Gallium Nitride
Defects
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fang CB
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Wang CM
;
Li JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xlwang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Song GF
;
Gan QQ
;
Qu X
;
Fang PY
;
Gao JX
;
Cao Q
;
Xu J
;
Kang XN
;
Xu Y
;
Zhong Y
;
Yang GH
;
Chen LH
;
Gan, QQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: gqq@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Mocvd
无权访问的条目
期刊论文
作者:
李雪
;
陈俊
;
何政
;
赵德刚
;
龚海梅
;
方家熊
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Kang Y
;
Xu YH
;
Zhao DG
;
Fang, JX
;
Fang, JX, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, State Key Labs Transducer Technol, Yutian Rd 500, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jxfang@mail.sitp.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang XL
;
Wang CM
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Ran JX
;
Fang CB
;
Li JP
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Liu XY
;
Liu J
;
Qian H
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xlwang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11