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中国科学院半导体研究所机构知识库
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期刊论文
作者:
Zhao YW (Zhao Y. W.)
;
Dong ZY (Dong Z. Y.)
;
Deng AH (Deng A. H.)
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Zhao, YW (Zhao, Y. W.)
;
Dong, ZY (Dong, Z. Y.)
;
Deng, AH (Deng, A. H.)
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Indium Phosphide