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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen, Z;  Chua, SJ;  Han, PD;  Liu, XL;  Lu, DC;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Tripathy, S;  Tripathy, S, Inst Mat Res & Engn, 3 Res Link, Singapore 117602, Singapore. 电子邮箱地址: tripathy-sudhiranjan@imre.a-star.edu.sg
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Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Chen Z;  Chua SJ;  Yuan HR;  Liu XL;  Lu DC;  Han PD;  Wang ZG;  Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Semiconducting Iii-v Materials  Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures  Carrier Confinement  Effect Transistors  Photoluminescence  Mobility  Heterojunction  Interface  Hfets  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen, Z;  Chua, SJ;  Yuan, HR;  Liu, XL;  Lu, DC;  Han, PD;  Wang, ZG;  Chen, Z, Singapore MIT Alliance, AMMNS, E4-04-10,NUS,4 Engn Dr,3, Singapore 117576, Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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Large excitation-power dependence of pressure coefficients of InxGa1-xN/InyGa1-yN quantum wells 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 235 (2), GUILDFORD, ENGLAND, AUG 05-08, 2002
作者:  Li Q;  Fang ZL;  Xu SJ;  Li GH;  Xie MH;  Tong SY;  Zhang XH;  Liu W;  Chua SJ;  Xu SJ Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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Piezoelectric Field  Photoluminescence  Temperature  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Q;  Fang ZL;  Xu SJ;  Li GH;  Xie MH;  Tong SY;  Zhang XH;  Liu W;  Chua SJ;  Xu SJ,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZJ;  Chua SJ;  Zhang ZY;  Zhou F;  Zhang JY;  Wang XJ;  Wang W;  Zhu HL;  Wang ZJ,Inst Mat Res & Engn,3 Res Link,Singapore 117602,Singapore.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZJ;  Chua SJ;  Zhou F;  Wang W;  Wu RH;  Wang ZJ,Natl Univ Singapore,Inst Mat Res & Engn,Singapore 119260,Singapore.
Adobe PDF(55Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1054/375  |  提交时间:2010/08/12