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中国科学院半导体研究所机构知识库
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4H-SiC的外延生长及后处理工艺的研究
学位论文
工程硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:
陈俊宏
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提交时间:2023/07/03
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作者:
Pan, D
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Fu, MQ
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Yu, XZ
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Wang, XL
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Zhu, LJ
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Nie, SH
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Wang, SL
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Chen, Q
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Xiong, P
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Zhao, JH
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提交时间:2015/04/02
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期刊论文
作者:
Benzeggouta, D
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Khazen, K
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Vickridge, I
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von Bardeleben, HJ
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Chen, L
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Yu, XZ
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Zhao, JH
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期刊论文
作者:
Misuraca, J
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Kim, JI
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Lu, J
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Meng, KK
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Chen, L
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Zhao, JH
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Xiong, P
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作者:
Benzeggouta, D
;
Khazen, K
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Vickridge, I
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von Bardeleben, HJ
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Chen, L
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Zhao, JH
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Dong, Y
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Wang, GL
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Ni, HQ
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Gao, FQ
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Qiao, ZT
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Yang, XH
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Niu, ZC
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提交时间:2015/03/20
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期刊论文
作者:
Fu, MQ
;
Pan, D
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Yang, YJ
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Shi, TW
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Zhang, ZY
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Zhao, JH
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Xu, HQ
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Chen, Q
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期刊论文
作者:
Yue, H
;
Chen, L
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Gao, HX
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Zhao, JH
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Zhang, XH
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Yuan, HC
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Zhang, Z
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Zheng, Z
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Chen, ZH
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Wu, YZ
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Zhao, JH
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Zhao, HB
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Chen, LY
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提交时间:2015/04/02
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期刊论文
作者:
Yang, SX
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Yue, Q
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Wu, FM
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Huo, NJ
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Chen, ZH
;
Yang, JH
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Li, JB
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提交时间:2015/04/02