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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者:
Li, Bo
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Wan, Zhong
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Wang, Cong
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Chen, Peng
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Huang, Bevin
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Cheng, Xing
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Qian, Qi
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Li, Jia
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Zhang, Zhengwei
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Sun, Guangzhuang
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Zhao, Bei
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Ma, Huifang
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Wu, Ruixia
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Wei, Zhongming
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Liu, Yuan
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Liao, Lei
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Ye, Yu
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Xu, Xiaodong
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Duan, Xidong
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Ji, Wei
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提交时间:2022/09/30
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li, Zhaocheng
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Shu, Weining
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Li, Qiuqiu
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Xu, Weiting
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Zhang, Zhengwei
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Li, Jia
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Wang, Yiliu
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Liu, Yueyang
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Yang, Juehan
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Chen, Keqiu
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Duan, Xidong
;
Wei, Zhongming
;
Li, Bo
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提交时间:2022/11/03
无权访问的条目
期刊论文
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Wei Xiang
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Guowei Wang
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Hongyue Hao
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Xi Han
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Lichun Zhang
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Yingqiang Xu
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Zhengwei Ren
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Zhenhong He
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Zhichuan Niu
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提交时间:2017/03/16
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期刊论文
作者:
Guowei, Wang
;
Wei, Xiang
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Yingqiang, Xu
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Liang, Zhang
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Yanqiu, Lü
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Junjie, Si
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Juan, Wang
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Zhengwei, Ren
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提交时间:2014/03/26
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Niu Zhichuan
;
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Ni Haiqiao
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Yang Xiaohong
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Du Yun
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提交时间:2010/11/23
HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010123021.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
张宇
;
王国伟
;
汤宝
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
;
陈良惠
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提交时间:2011/08/31
带间级联激光器及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:
邢军亮
;
张宇
;
徐应强
;
王国伟
;
王娟
;
向伟
;
任正伟
;
牛智川
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提交时间:2014/11/05
InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人:
邢军亮
;
张宇
;
徐应强
;
王国伟
;
王娟
;
向伟
;
任正伟
;
牛智川
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提交时间:2014/11/24
一种具有W型有源区结构的带间级联激光器
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-29
发明人:
张宇
;
邢军亮
;
徐应强
;
任正伟
;
牛智川
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浏览/下载:894/103
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提交时间:2014/11/05
双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:
邢军亮
;
张宇
;
王国伟
;
王娟
;
王丽娟
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
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提交时间:2014/11/24