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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Bo;   Wan, Zhong;   Wang, Cong;   Chen, Peng;   Huang, Bevin;   Cheng, Xing;   Qian, Qi;   Li, Jia;   Zhang, Zhengwei;   Sun, Guangzhuang;   Zhao, Bei;   Ma, Huifang;   Wu, Ruixia;   Wei, Zhongming;   Liu, Yuan;   Liao, Lei;   Ye, Yu;   Huang, Yu;   Xu, Xiaodong;   Duan, Xidong;   Ji, Wei
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Zhaocheng;   Shu, Weining;   Li, Qiuqiu;   Xu, Weiting;   Zhang, Zhengwei;   Li, Jia;   Wang, Yiliu;   Liu, Yueyang;   Yang, Juehan;   Chen, Keqiu;   Duan, Xidong;   Wei, Zhongming;   Li, Bo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei Xiang;  Guowei Wang;  Hongyue Hao;  Yongping Liao;  Xi Han;  Lichun Zhang;  Yingqiang Xu;  Zhengwei Ren;  Haiqiao Ni;  Zhenhong He;  Zhichuan Niu
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guowei, Wang;  Wei, Xiang;  Yingqiang, Xu;  Liang, Zhang;  Zhenyu, Peng;  Yanqiu, Lü;  Junjie, Si;  Juan, Wang;  Junliang, Xing;  Zhengwei, Ren;  Zhichuan, Niu
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Niu Zhichuan;  Han Qin;  Ni Haiqiao;  Yang Xiaohong;  Xu Yingqiang;  Du Yun;  Zhang Shiyong;  Peng Hongling;  Zhao Huan;  Wu Donghai;  Li Shuying;  He Zhenhong;  Ren Zhengwei;  Wu Ronghan
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HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010123021.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张宇;  王国伟;  汤宝;  任正伟;  徐应强;  牛智川;  陈良惠
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带间级联激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  邢军亮;  张宇;  徐应强;  王国伟;  王娟;  向伟;  任正伟;  牛智川
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InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人:  邢军亮;  张宇;  徐应强;  王国伟;  王娟;  向伟;  任正伟;  牛智川
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一种具有W型有源区结构的带间级联激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-29
发明人:  张宇;  邢军亮;  徐应强;  任正伟;  牛智川
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双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  邢军亮;  张宇;  王国伟;  王娟;  王丽娟;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(1931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1002/73  |  提交时间:2014/11/24