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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: X.F. Liu; G.G. Yan; L. Sang; Y.X. Niu; Y.W. He; Z.W. Shen; Z.X. Wen; J. Chen; W.S. Zhao; L. Wang; M. Guan; F. Zhang; G.S. Sun; Y.P. Zeng
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| 高压大功率碳化硅IGBT器件研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 温正欣
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: X.F. Liu ; G.G. Yan ; Z.W. Shen ; Z.X. Wen ; J. Chen ; Y.W. He ; W.S. Zhao ; L. Wang ; M. Guan ; F. Zhang ; G.S. Sun ; Y.P. Zeng
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: G.G. Yan ; X.F. Liu ; Z.W. Shen ; Z.X. Wen ; J. Chen ; W.S. Zhao ; L. Wang ; F. Zhang ; X.H. Zhang ; X.G. Li ; G.S. Sun ; Y.P. Zeng ; Z.G. Wang
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: X.F. Liu ; G.G. Yan ; B. Liu ; Z.W. Shen ; Z.X. Wen ; J. Chen ; W.S. Zhao ; L. Wang ; F. Zhang ; G.S. Sun ; Y.P. Zeng
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵有文; 孙文荣; 段满龙; 董志远; 杨子祥; 吕旭如; 王应利
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵有文; 董志远; 孙文荣; 段满龙; 杨子祥; 吕旭如
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| 磷化铟单晶片的抛光工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 董宏伟; 赵有文; 杨子祥; 焦景华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵有文; 段满龙; 孙文荣; 杨子祥; 焦景华; 赵建群; 曹慧梅; 吕旭如
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 马智训; 廖显伯; 何杰; 程文超; 岳国珍; 王永谦; 刁宏伟; 孔光临
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