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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Huang, Jinpeng
;
Gao, Xiang
;
Hu, Zelin
;
Yan, Jianchang
;
Yi, Xiaoyan
;
Wang, Liancheng
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提交时间:2022/09/30
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gao, Xiang
;
Xu, Yi
;
Huang, Jinpeng
;
Hu, Zelin
;
Zhu, Wenhui
;
Yi, Xiaoyan
;
Wang, Liancheng
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提交时间:2022/07/26
以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王元立
;
吴巨
;
金鹏
;
叶小玲
;
张春玲
;
黄秀颀
;
陈涌海
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
Lateral intersubband photocurrent study on InAs/InAlas/InP self-assembled nanostructures
会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:
Lei W
;
Chen YH
;
Jin P
;
Xu B
;
Ye XL
;
Wang ZG
;
Huang XQ
;
Lei, W, Acad Sinica, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Lateral Intersubband Photocurrent
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang FZ
;
Chen ZH
;
Sun J
;
Bai LH
;
Huang SH
;
Xiong H
;
Jin P
;
Wang ZG
;
Shen SC
;
Chen, ZH, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. E-mail: zhanghai@fudan.edu.cn
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提交时间:2010/04/11
Temperature and power-density-dependent inter-shell energy states in InAs/GaAs quantum dots
会议论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 01-05, 2005
作者:
Wang FZ
;
Chen ZH
;
Sun J
;
Bai LH
;
Huang SH
;
Xiong H
;
Jin P
;
Wang ZG
;
Shen SC
;
Chen, ZH, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghai@fudan.edu.cn
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提交时间:2010/03/29
Quantum Dots
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang FZ
;
Chen ZH
;
Bai LH
;
Huang SH
;
Xiong H
;
Shen SC
;
Sun J
;
Jin P
;
Wang ZG
;
Wang, FZ, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghai@fudan.edu.cn
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lei W
;
Chen YH
;
Wang YL
;
Huang XQ
;
Zhao C
;
Liu JQ
;
Xu B
;
Jin P
;
Zeng YP
;
Wang ZG
;
Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ahleiwen@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11