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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [1]
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文献类型
专利 [1]
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1989 [1]
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双栅ＭＯＳ器件
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1989-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
林雨
;
陆文兰
;
王志英
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提交时间：2009/06/11
