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氮化物LED 材料生长及垂直结构器件制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  阮军
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透明电极GaN基LED结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081994.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨华;  王晓峰;  阮军;  王国宏;  曾一平
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