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| 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 段瑞飞; 刘喆; 钟兴儒; 魏同波; 马平; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(616Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1502/234  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘喆; 王军喜; 钟兴儒; 李晋闽; 曾一平; 段瑞飞; 马平; 魏同波; 林郭强 Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1708/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 张富强; 陈诺夫; 吴金良; 钟兴儒; 林兰英 Adobe PDF(850Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1040/260  |  提交时间:2010/11/23 |
| 半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨君玲; 陈诺夫; 何家宏; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英; 刘志凯; 杨少延; 柴春林 Adobe PDF(246Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1420/185  |  提交时间:2009/06/11 |
| 磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈诺夫; 杨君玲; 何宏家; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英 Adobe PDF(314Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1365/159  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 陈诺夫; 修慧欣; 杨君玲; 吴金良; 钟兴儒; 林兰英 Adobe PDF(283Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:882/239  |  提交时间:2010/11/23 |
| 液相外延水平生长晶体薄膜用的容器 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 钟兴儒; 徐自亮; 田金法; 吴金良; 陈诺夫 Adobe PDF(230Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1232/174  |  提交时间:2009/06/11 |
| 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2000-07-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈诺夫; 林兰英; 王玉田; 何宏家; 钟兴儒 Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1553/205  |  提交时间:2009/06/11 |
| 下开平动式直拉单晶炉 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 钟兴儒; 田金法; 吴金良; 林兰英; 陈诺夫 Adobe PDF(159Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1436/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 吴金良; 钟兴儒; 陈诺夫; 田金法; 林兰英 Adobe PDF(300Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:955/379  |  提交时间:2010/11/23 |