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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ma, Xiaole
;
Guo, Jie
;
Hao, Ruiting
;
Wei, Guoshuai
;
Chang, Faran
;
Li, Yong
;
Li, Xiaoming
;
Jiang, Dongwei
;
Wang, Guowei
;
Xu, Yingqiang
;
Niu, Zhichuan
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提交时间:2022/11/03
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei, Guoshuai
;
Hao, Ruiting
;
Li, Xiaoming
;
Wang, Yunpeng
;
Fang, Shuiliu
;
Guo, Jie
;
Ma, Xiaole
;
Ren, Yang
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Li, Junbin
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Kong, JinCheng
;
Wang, Guowei
;
Xu, Yingqiang
;
Wu, Donghai
;
Niu, Zhichuan
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提交时间:2022/04/28
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Guo, Jie
;
Wang, Guowei
;
Lin, Xu
;
Hao, Ruiting
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浏览/下载:530/183
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提交时间:2014/05/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Deng SK (Deng Shukang)
;
Shen LX (Shen Lanxian)
;
Yang PZ (Yang Peizhi)
;
Tu JL (Tu Jielei)
;
Liao H (Liao Hua)
;
Xu YQ (Xu Yingqiang)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
;
Hao, RT, Yunnan Normal Univ, Inst Solar Energy, Key Lab Renewable Energy Adv Mat & Mfg Technol, Educ Minist, Kunming 650092, Yunnan Province, Peoples R China. ruitinghao@semi.ac.cn
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提交时间:2010/12/28
无权访问的条目
期刊论文
作者:
郝瑞亭
;
申兰先
;
邓书康
;
杨培志
;
涂洁磊
;
廖华
;
徐应强
;
牛智川
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提交时间:2011/08/04
GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人:
汤宝
;
周志强
;
郝瑞亭
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
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提交时间:2010/03/19
GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人:
周志强
;
郝瑞亭
;
汤 宝
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
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提交时间:2010/03/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
郭杰
;
彭震宇
;
鲁正雄
;
孙维国
;
郝瑞亭
;
周志强
;
许应强
;
牛智川
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提交时间:2010/11/23
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
郝瑞亭
;
周志强
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
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提交时间:2009/06/11
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
郝瑞亭
;
周志强
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
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提交时间:2009/06/11