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一种生长可控量子点和量子环的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 4011
发明人:  赵 暕;  陈涌海;  王占国;  徐 波
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图形衬底结合液滴外延生长InAs/GaAs 量子点、量子环的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  赵暕
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵暕;  陈涌海;  王占国;  徐波
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