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氧化铪基薄膜铁电机理研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2024
作者:  程勇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, Yajuan;   Yin, Zhigang;   Li, Xingxing;   Zheng, Maoyuan;   Cheng, Yong;   You, Jingbi;   Wu, Jinliang;   Zhang, Xingwang
Adobe PDF(6945Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2022/04/28
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng, Maoyuan;   Yin, Zhigang;   Cheng, Yong;   Wu, Jinliang;   Zhang, Xingwang;   Qi, Jing
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng, Maoyuan;   Yin, Zhigang;   Cheng, Yong;   Zhang, Xingwang;   Wu, Jinliang;   Qi, Jing
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tian, Yan;   Zheng, Maoyuan;   Cheng, Yong;   Yin, Zhigang;   Jiang, Ji;   Wang, Gaokai;   Chen, Jingren;   Li, Xingxing;   Qi, Jing;   Zhang, Xingwang
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半导体中电子自旋极化及半导体微腔偏振特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
作者:  胡承勇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  彭进;  胡冰;  胡承勇;  卞松保;  杨富华;  郑厚植
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光探测自旋共振对激子和带负电激子光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2000
作者:  胡承勇
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SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242349.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  陈少武;  程勇鹏;  任光辉;  樊中朝
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脊型光波导和倒锥耦合器集成的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910093176.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  陈少武;  程勇鹏;  任光辉
Adobe PDF(312Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1150/142  |  提交时间：2011/08/30