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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中科院半导体材料科学... [5]
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专利 [4]
学位论文 [1]
发表日期
2017 [1]
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中文 [1]
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4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:
申占伟
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提交时间:2017/06/02
4h-sic
场效应晶体管
No退火
Umosfet
欧姆接触
槽角圆弧化
米勒电容
一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
杨香
;
刘兴昉
;
张峰
;
王雷
;
田丽欣
;
刘敏
;
申占伟
;
赵万顺
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
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浏览/下载:895/0
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提交时间:2016/09/29
用于碳化硅生长的高温装置及方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
刘兴昉
;
刘斌
;
闫果果
;
刘胜北
;
田丽欣
;
申占伟
;
王雷
;
赵万顺
;
张峰
;
孙国胜
;
曾一平
Adobe PDF(600Kb)
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浏览/下载:763/0
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提交时间:2016/09/28
SiC基HEMT器件的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:
申占伟
;
张峰
;
赵万顺
;
王雷
;
闫果果
;
刘兴昉
;
孙国胜
;
曾一平
Adobe PDF(882Kb)
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浏览/下载:773/3
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提交时间:2016/09/22
在SiC材料中获取二维电子气的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:
申占伟
;
张峰
;
赵万顺
;
王雷
;
闫果果
;
刘兴昉
;
孙国胜
;
曾一平
Adobe PDF(522Kb)
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提交时间:2016/09/22