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一种磷化铟基量子级联半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郭瑜;  王春华;  刘俊岐;  刘峰奇;  王占国
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离子注入法生长GaMnAs材料性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  王春华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王春华;  陈涌海;  王占国
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