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ZnO 材料的MOCVD 生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  王振华
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Zno  Mocvd  甲醇  价带差  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王振华;  杨安丽;  刘祥林;  魏鸿源;  焦春美;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910079800.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王振华;  刘祥林;  杨少延;  杨安丽
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