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AlN材料外延技术及其应用研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2017
作者:  杜泽杰
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金属有机化合物气相沉积（mocvd）  深紫外led  氮化铝（aln）  成核层  
一种光子晶体的制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  杜泽杰;  段瑞飞
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