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未钝化的中波InAs/GaSb二类超晶格红外光电探测器暗 电流机制的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  李琼
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Inas/gasb二类超晶格  红外探测器  暗电流  中波  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo, Xiaolu;  Ma, Wenquan;  Huang, Jianliang;  Zhang, Yanhua;  Wei, Yang;  Cui, Kai;  Cao, Yulian;  Li, Qiong
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui, Kai;  Ma, Wenquan;  Zhang, Yanhua;  Huang, Jianliang;  Wei, Yang;  Cao, Yulian;  Guo, Xiaolu;  Li, Qiong
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近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  李琼;  马文全;  张艳华;  黄建亮
Adobe PDF(617Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:983/96  |  提交时间:2014/11/24