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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Tengfei Hao
;
Qizhuang Cen
;
Yitang Dai
;
Jian Tang
;
Wei Li
;
Jianping Yao
;
Ninghua Zhu
;
Ming Li
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提交时间:2019/11/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zengcheng Li, Jianping Liu, Meixin Feng, Kun Zhou, Shuming Zhang, Hui Wang, Deyao Li, Liqun Zhang, Degang Zhao, Desheng Jiang, Huaibing Wang,and Hui Yang
Adobe PDF(1132Kb)
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浏览/下载:1469/432
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提交时间:2014/06/03
在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人:
王晓亮
;
罗卫军
;
郭伦春
;
肖红领
;
李建平
;
李晋闽
Adobe PDF(592Kb)
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浏览/下载:1532/236
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提交时间:2010/03/19
单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
肖红领
;
杨翠柏
;
胡国新
;
冉学军
;
王翠梅
;
张小宾
;
李建平
;
李晋闽
Adobe PDF(676Kb)
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浏览/下载:1646/246
  |  
提交时间:2009/06/11
生长氮化铟单晶薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
肖红领
;
胡国新
;
杨翠柏
;
冉学军
;
王翠梅
;
张小宾
;
李建平
;
李晋闽
Adobe PDF(480Kb)
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浏览/下载:1639/200
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提交时间:2009/06/11
用于制备有机/无机薄膜的有机分子束沉积设备
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-11-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
曹国华
;
秦大山
;
李建平
;
曹峻松
;
曾一平
Adobe PDF(530Kb)
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浏览/下载:1274/173
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提交时间:2009/06/11
碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
胡国新
;
马志勇
;
冉学军
;
王翠敏
;
肖红领
;
王军喜
;
李建平
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1667/233
  |  
提交时间:2009/06/11
一种有机材料升华提纯装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
曹国华
;
秦大山
;
李建平
;
曹峻松
;
曾一平
Adobe PDF(472Kb)
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浏览/下载:1495/161
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提交时间:2009/06/11
一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
冉军学
;
王晓亮
;
李建平
;
胡国新
;
王军喜
;
王翠梅
;
曾一平
Adobe PDF(449Kb)
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ran JX (Ran Junxue)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Li JP (Li Jianping)
;
Wang BZ (Wang Baozhu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1309/323
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提交时间:2010/03/29