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中国科学院半导体研究所机构知识库
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GaN 基纳米结构LED 的制作及测试分析研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
朱继红
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提交时间:2011/06/02
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期刊论文
作者:
Zhu JH
;
Wang LJ
;
Zhang SM
;
Wang H
;
Zhao DG
;
Zhu JJ
;
Liu ZS
;
Jiang DS
;
Yang H
;
Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. smzhang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
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期刊论文
作者:
Zhu JH
;
Zhang SM
;
Wang H
;
Zhao DG
;
Zhu JJ
;
Liu ZS
;
Jiang DS
;
Qiu YX
;
Yang H
;
Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. smzhang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
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期刊论文
作者:
Zhu JH (Zhu Jihong)
;
Wang LJ (Wang Liangji)
;
Zhang SM (Zhang Shuming)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Zhao DG (Zhao Degang)
;
Zhu JJ (Zhu Jianjun)
;
Liu ZS (Liu Zongshun)
;
Jiang DS (Jiang Desheng)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Zhu, JH, Chinese AcadSci, State Key Lab Integrated Optoelect, InstSemicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/14
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期刊论文
作者:
Wang LJ
;
Zhang SM
;
Zhu JH
;
Zhu JJ
;
Zhao DG
;
Liu ZS
;
Jiang DS
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: smzhang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/05
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期刊论文
作者:
Sun X
;
Jiang DS
;
Liu WB
;
Zhu JH
;
Wang H
;
Liu ZS
;
Zhu JJ
;
Wang YT
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
You LP
;
Ma RM
;
Yang H
;
Sun X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xiansun@semi.ac.cn
;
dsjiang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Wang H
;
Wang LL
;
Sun X
;
Zhu JH
;
Liu WB
;
Jiang DS
;
Zhu JJ
;
Zhao DG
;
Liu ZS
;
Wang YT
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wangh@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
具有纳米结构插入层的GaN基LED
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183393.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:
朱继红
;
张书明
;
朱建军
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提交时间:2011/08/30