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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Duan, Li;  Wang, Pei;  Wei, Feng;  Zhang, Wenxue;  Yao, Ran;  Xia, Huiyun
Adobe PDF(643Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：744/155  |  提交时间：2015/03/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang, Meng;  Wang, Guohong;  Li, Hongjian;  Li, Zhicong;  Yao, Ran;  Wang, Bing;  Li, Panpan;  Li, Jing;  Yi, Xiaoyan;  Wang, Junxi;  Li, Jinmin
Adobe PDF(749Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：737/144  |  提交时间：2013/05/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王兵;  李志聪;  姚然;  梁萌;  闫发旺;  王国宏
Adobe PDF(761Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1410/194  |  提交时间：2011/08/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Zhicong;  Li, Panpan;  Wang, Bing;  Li, Hongjian;  Liang, Meng;  Yao, Ran;  Li, Jing;  Deng, Yuanming;  Yi, Xiaoyan;  Wang, Guohong;  Li, Jinmin;  Li, Z.(lizc@semi.ac.cn)
Adobe PDF(170Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1051/337  |  提交时间：2012/06/14
一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李璟;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(992Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2109/302  |  提交时间：2012/09/09
一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王兵;  李志聪;  王国宏;  闫发旺;  姚然;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(260Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1629/259  |  提交时间：2011/08/31
一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李鸿渐;  李盼盼;  李璟;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(1092Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1765/306  |  提交时间：2012/09/09
芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  谢海忠;  张连;  宋昌斌;  姚然;  薛斌;  杨华;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(338Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1000/104  |  提交时间：2014/11/05
植物补光发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  谢海忠,宋昌斌;  姚然;  卢鹏志;  杨华;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(436Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：817/96  |  提交时间：2014/11/05
利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  梁萌;  李鸿渐;  姚然;  李志聪;  李盼盼;  王兵;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(458Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：847/100  |  提交时间：2014/10/31