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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [1]
作者
刘兴昉 [1]
文献类型
专利 [1]
发表日期
2010 [1]
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中文 [1]
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一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12
发明人:
孙国胜
;
王 雷
;
赵万顺
;
曾一平
;
叶志仙
;
刘兴昉
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提交时间:2010/08/12