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GaAs基有序量子点和量子线生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  刘建庆
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在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010140985.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  陈涌海;  刘建庆;  高云;  徐波;  张兴旺;  王占国
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