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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wan KS (Wan Keshu); Porporati AA (Porporati Alessandro Alan); Feng G (Feng Gan); Yang H (Yang Hui); Pezzotti G (Pezzotti Giuseppe); Wan, KS, Kyoto Inst Technol, Ceram Phys Lab, Sakyo Ku, Kyoto 6068585, Japan. E-mail: pezzotti@chem.kit.ac.jp
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| 氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-04-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 冯淦; 杨辉; 梁骏吾
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张宝顺; 伍墨; 陈俊; 沈晓明; 冯淦; 刘建平; 史永生; 段丽宏; 朱建军 ; 杨辉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈俊; 张书明; 张宝顺; 朱建军; 冯淦; 段俐宏; 王玉田; 杨辉; 郑文琛
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| GaN的MOVPE横向外延生长及其结构特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2003
作者: 冯淦
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张泽洪; 孙元平; 赵德刚; 段俐宏; 王俊; 沈晓明; 冯淦; 冯志宏; 杨辉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王俊; 赵德刚; 刘宗顺; 冯淦; 朱建军; 沈晓民; 张宝顺; 杨辉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 冯淦; 朱建军; 沈晓明; 张宝顺; 赵德刚; 王玉田; 杨辉; 梁骏吾
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张泽洪; 赵德刚; 孙元平; 冯志宏; 沈晓明; 张宝顺; 冯淦; 郑新和; 杨辉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 沈晓明; 付羿; 冯淦; 张宝顺; 冯志宏; 杨辉
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