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Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Li LH;  Pan Z;  Zhang W;  Lin YW;  Wang XY;  Wu RH;  Li LH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Characterization  Defects  X-ray Diffraction  Molecular Beam Epitaxy  Nitrides  Gaas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo X;  Shen GD;  Wang GH;  Zhu WJ;  Du JY;  Gao G;  Zou DS;  Chen YH;  Ma XY;  Chen LH;  Guo X,Beijing Polytech Univ,Inst Informat,Beijing 100022,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Z;  Lu DC;  Wang XH;  Liu XL;  Han PD;  Yuan HR;  Wang D;  Wang ZG;  He ST;  Li HL;  Yan L;  Chen XY;  Chen Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YJ;  Leem YA;  McCombe BD;  Wu XG;  Peeters FM;  Jones ED;  Reno JR;  Lee XY;  Jiang HW;  Wang YJ,Florida State Univ,Natl High Magnet Field Lab,Tallahassee,FL 32310 USA.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li LH;  Pan Z;  Zhang W;  Lin YW;  Wang XY;  Wu RH;  Li LH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li LH;  Pan Z;  Zhang W;  Lin YW;  Wang XY;  Wu RH;  Ge WK;  Li LH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李联合;  潘钟;  张伟;  林耀望;  王学宇;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓薇;  肖建伟;  王仲明;  马骁宇;  刘宗顺;  方高瞻;  张敬明;  冯小明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邓晖;  陈弘达;  梁琨;  杜云;  唐君;  黄永箴;  潘钟;  马骁宇;  吴荣汉;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邓晖;  陈弘达;  梁琨;  杜云;  唐君;  黄永箴;  潘钟;  马晓宇;  吴荣汉;  王启明
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