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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期
2001 [45]
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发表日期:2001
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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85
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95
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
题名升序
题名降序
变温的高阻半导体材料光电测试装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2001-08-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张砚华
;
卢励吾
;
樊志军
Adobe PDF(258Kb)
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浏览/下载:1164/169
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提交时间:2009/06/11
1.3 mu m GaInNAs/GaAs multiple-quantum-wells resonant-cavity-enhanced photodetectors
会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:
Zhang W
;
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang RK
;
Lin YW
;
Wu RG
;
Zhang W Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1096/0
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提交时间:2010/10/29
Gainnas
Photodetector
Resonant Cavity Enhanced
High Speed Property
Molecular-beam Epitaxy
Schottky Photodiodes
Performance
Efficiency
Operation
Bandwidth
Design
Si
BPM方法原理及其在SOI结构中应用
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2001
作者:
张小峰
Adobe PDF(8783Kb)
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浏览/下载:825/16
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提交时间:2009/04/13
Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang W
;
Wang XU
;
Lin YW
;
Wu RH
;
Pan Z Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(124Kb)
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浏览/下载:1250/219
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提交时间:2010/11/15
Adsorption
Characterization
Radiation
Molecular Beam Epitaxy
Nitrides
Surface-emitting Laser
Quantum-wells
Operation
Range
Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Li LH
;
Pan Z
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Wang XY
;
Wu RH
;
Li LH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(109Kb)
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浏览/下载:1443/268
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提交时间:2010/11/15
Characterization
Defects
X-ray Diffraction
Molecular Beam Epitaxy
Nitrides
Gaas
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Pan Z
;
Li LH
;
Xu YQ
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Zhang RK
;
Zhong Y
;
Ren XM
;
Pan Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(363Kb)
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浏览/下载:1025/284
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Han PD
;
Wang ZG
;
Duan XF
;
Zhang Z
;
Han PD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:932/270
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li LH
;
Pan Z
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Wang XY
;
Wu RH
;
Li LH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:918/256
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang W
;
Wang XU
;
Lin YW
;
Wu RH
;
Pan Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:851/230
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li LH
;
Pan Z
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Wang XY
;
Wu RH
;
Ge WK
;
Li LH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:978/277
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提交时间:2010/08/12