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中国科学院半导体研究所机构知识库
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1999 [45]
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发表日期:1999
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Li XB
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhang JP Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Stress
Growth
Structural properties of SI-GaAs grown in space
会议论文
GRAVITATIONAL EFFECTS IN MATERIALS AND FLUID SCIENCES, 24 (10), NAGOYA, JAPAN, JUL 12-19, 1998
作者:
Chen NF
;
Wang YT
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Semiinsulating Gallium-arsenide
Microgravity
Stoichiometry
The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Wang YS
;
Li JM
;
Zhang FF
;
Lin LY
;
Wang YS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Heteroepitaxial Growth
Hydrocarbon Radicals
Si(001) Surface
Beam
Crystallographic and magnetic properties of hydride R3Fe29-xTxHy (R=Y, Ce, Nd, Sm, Gd, Tb and Dy; T=V and Cr)
会议论文
MAGNETISM, MAGNETIC MATERIALS AND THEIR APPLICATIONS, 302-3, SAO PAULO, BRAZIL, JUN 07-11, 1998
作者:
Han XF
;
Lin LY
;
Baggio-Saitovitch E
;
Xu RG
;
Wang XH
;
Pan HG
;
Han XF Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Magnetic Properties
Hydride
Hydrogenation
Saturation Magnetization
Curie Temperature
First-order Magnetization Process
R3fe29-xtxhy
r = y
Influence of crystal perfection on the reverse leakage current of the SiGe Si p-n heterojunction diodes
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Liu XF
;
Liu JP
;
Li JP
;
Wang YT
;
Li LY
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Lin LY
;
Liu XF Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
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期刊论文
作者:
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Han XF
;
Lin LY
;
Miyazaki T
;
Yang FM
;
Xu RG
;
Wang XH
;
Pan HG
;
Chen CP
;
Han XF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang QY
;
Ma ZY
;
Cai TH
;
Yu YH
;
Lin LY
;
Wang QY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen NF
;
Wang YT
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang YS
;
Li JM
;
Zhang FF
;
Lin LY
;
Wang YS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12