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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [5]
作者
陈平 [1]
文献类型
会议论文 [5]
发表日期
2008 [1]
2001 [3]
2000 [1]
语种
英语 [5]
出处
JOURNAL OF... [2]
APOC 2001:... [1]
THIN FILM ... [1]
THIN SOLID... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [4]
其他 [1]
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Chinese Va... [1]
SPIE.; Chi... [1]
Shanghai J... [1]
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Pockels effect in GaN/Al-x,Gal(1-x)N superlattice with different quantum structures - art. no. 69841G
会议论文
THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS,SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, SEP 25-28, 2007
作者:
Chen P
;
Lib SP
;
Tu XG
;
Zuo YH
;
Zhao L
;
Chen SW
;
Li JC
;
Lin W
;
Chen HY
;
Liu DY
;
Kang JY
;
Yu YD
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(386Kb)
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提交时间:2010/03/09
Pockels Effect
1.3 mu m GaInNAs/GaAs multiple-quantum-wells resonant-cavity-enhanced photodetectors
会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:
Zhang W
;
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang RK
;
Lin YW
;
Wu RG
;
Zhang W Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1207/0
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提交时间:2010/10/29
Gainnas
Photodetector
Resonant Cavity Enhanced
High Speed Property
Molecular-beam Epitaxy
Schottky Photodiodes
Performance
Efficiency
Operation
Bandwidth
Design
Si
Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang W
;
Wang XU
;
Lin YW
;
Wu RH
;
Pan Z Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1357/219
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提交时间:2010/11/15
Adsorption
Characterization
Radiation
Molecular Beam Epitaxy
Nitrides
Surface-emitting Laser
Quantum-wells
Operation
Range
Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Li LH
;
Pan Z
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Wang XY
;
Wu RH
;
Li LH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1533/268
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提交时间:2010/11/15
Characterization
Defects
X-ray Diffraction
Molecular Beam Epitaxy
Nitrides
Gaas
Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials
会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:
Lin YW
;
Pan Z
;
Li LH
;
Zhou ZQ
;
Wang H
;
Zhang W
;
Lin YW Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1618/289
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提交时间:2010/11/15
Ganas
Dc Active N-2 Plasma
Molecular Beam Epitaxy
Nitrogen Content
Fourier Transform Infrared Spectroscopy Of Intensity
Band-gap Energy
Gaas1-xnx
Nitrogen