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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai AQ;  Hu D;  Ding WC;  Su SJ;  Hu WX;  Xue CL;  Fan ZC;  Cheng BW;  Yu YD;  Wang QM;  Cheng BW Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: anqibai@semi.ac.cn;  cbw@red.semi.ac.cn
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Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Xu B;  Tang CG;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  白安琪;  胡迪;  丁武昌;  苏少坚;  胡炜玄;  薛春来;  樊中朝;  成步文;  俞育德;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  廖凌宏;  周志文;  李成;  陈松岩;  赖虹凯;  余金中;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨国为;  王守觉;  李卫军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王保柱;  安胜彪;  文环明;  武瑞红;  王晓君;  王晓亮
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TO封装的垂直腔面发射激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐桂芝;  王欣;  刘超;  祝宁华
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砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵超;  徐波;  陈涌海;  金鹏;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao, HY;  Yan, FW;  Fan, ZC;  Li, JM;  Zeng, YP;  Wang, GH;  Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hygao@semi.ac.cn
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