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Photoluminescence characteristics of GaAs/AlGaAs quantum dot arrays fabricated by dry and dry-wet etching 会议论文
PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899, SINGAPORE, SINGAPORE, DEC 01-03, 1999
作者:  Wang XH;  Song AM;  Liu J;  Cheng WC;  Li GH;  Li CF;  Li YX;  Yu JZ;  Wang XH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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Gaas/algaas  Quantum Dot Array  Etching Method  Photoluminescence  Wires  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu CC;  Wang HM;  Li YX;  Wang QL;  Ren BY;  Xu YS;  Que DL;  Liu CC,Zhejiang Univ,Natl Key Lab Silicon Mat,Hangzhou 310027,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YX;  Chen X;  Wang YX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yan XJ(颜学进);  Xu GY(许国阳);  Zhu HL(朱洪亮);  Zhou F(周帆);  Wang XJ(汪孝杰);  Zhang JY(张静媛);  Tian HL(田慧良);  Ma CH(马朝华);  Shu HY(舒惠云);  Bai YX(白云霞);  Bi KK(毕可奎);  Wu RH(吴荣汉);  Wang QM(王启明);  Wang W(王圩)
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