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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [7]
作者
伊晓燕 [1]
文献类型
专利 [6]
期刊论文 [1]
发表日期
2006 [7]
语种
中文 [6]
英语 [1]
出处
JOURNAL OF... [1]
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共7条,第1-7条
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发表日期:2006
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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一种新型键合用晶向对准装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-11-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈良惠
;
郑婉华
;
杨国华
;
何国荣
;
王玉平
;
曹青
;
郭良
;
林学春
Adobe PDF(350Kb)
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浏览/下载:1426/184
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提交时间:2009/06/11
一种利用激光对准晶片晶向的方法及装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈良惠
;
郑婉华
;
杨国华
;
何国荣
;
王玉平
;
曹青
;
郭良
;
林学春
Adobe PDF(425Kb)
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浏览/下载:1191/182
  |  
提交时间:2009/06/11
背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
马龙
;
王良臣
;
王立彬
;
郭金霞
;
伊晓燕
Adobe PDF(550Kb)
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浏览/下载:1108/164
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提交时间:2009/06/11
一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(1125Kb)
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浏览/下载:1007/150
  |  
提交时间:2009/06/11
铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
林涛
;
江李
;
陈芳
;
刘素平
;
潭满清
;
王国宏
;
韦欣
;
马骁宇
Adobe PDF(476Kb)
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浏览/下载:1293/173
  |  
提交时间:2009/06/11
降低磷离子注入(0001)取向的4H-碳化硅电阻率的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
高欣
;
孙国胜
;
李晋闽
;
王雷
;
赵万顺
Adobe PDF(499Kb)
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浏览/下载:1333/188
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cui LJ (Cui L. J.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Wang BQ (Wang B. Q.)
;
Zhu ZP (Zhu Z. P.)
;
Guo SL (Guo S. L.)
;
Chu JH (Chu J. H.)
;
Cui, LJ, Chinese Acad Sci, Novel Mat Lab, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ljcui@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1028/276
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提交时间:2010/04/11