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| 竖直式离子注入碳化硅高温退火装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-11-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺
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| 湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓峰; 曾一平; 孙国胜; 黄风义; 王雷; 赵万顺
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| 低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 江李; 林涛; 韦欣; 王国宏; 马骁宇
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| 水平式离子注入碳化硅高温退火装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 高欣; 孙国胜; 李晋闽; 赵万顺; 王雷; 张永兴; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 徐云; 郭良; 曹青; 宋国峰; 甘巧强; 杨国华; 李玉璋; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘仕锋; 秦国刚; 尤力平; 张纪才; 傅竹西; 戴伦
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 江李; 林涛; 韦欣; 王国宏; 张广泽; 张洪波; 马骁宇; 李献杰
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