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| 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 冉军学; 曾一平; 李晋闽
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| 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chang H; Rao G; Liang J; Guo Y; Liu S; Du H; Chang, H, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: ghrao@aphy.iphy.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Shen Xiaoming; Wang Yutian ; Wang Jianfeng; Liu Jianping; Zhang Jicai; Guo Liping; Jia Quanjie; Jiang Xiaoming; Hu Zhengfei; Yang Hui; Liang Junwu
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 冉军学; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 徐云; 郭良; 曹青; 宋国峰; 甘巧强; 杨国华; 李玉璋; 陈良惠
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