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非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2000-07-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  林兰英;  王玉田;  何宏家;  钟兴儒
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Wang YT;  Yang H;  Li SF;  Zhao DG;  Fu Y;  Zhang SM;  Wu RH;  Jia QJ;  Zheng WL;  Jiang XM;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(45Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1127/331  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Y;  Li GH;  Han HX;  Wang ZP;  Xu DP;  Yang H;  Chen Y,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(273Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1004/179  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang H;  Wang HL;  Wang XD;  Niu ZC;  Feng SL;  Wang H,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(221Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：819/230  |  提交时间：2010/08/12
自组织InAs/GaAs量子点的光电性质和生长机理 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2000
作者:  王海龙
Adobe PDF(7628Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：687/21  |  提交时间：2009/04/13
Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic GaN grown on GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:  Xu DP;  Yang H;  Li JB;  Li SF;  Zhao DG;  Wang YT;  Sun XL;  Wu RH;  Xu DP Chinese Acad Sci Natl Res Ctr Optoelect Technol Inst Semicond Beijing 100864 Peoples R China.
Adobe PDF(194Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1193/252  |  提交时间：2010/11/15
Cubic Gan  Buffer Layer  Atomic Force Microscopy  Reflection High-energy Electron Diffraction  Movpe  
The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:  Sun XL;  Wang YY;  Yang H;  Li JB;  Zheng LX;  Xu DP;  Wang ZG;  Sun XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Res Ctr Optoelect Technol Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(206Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1546/311  |  提交时间：2010/11/15
Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Cubic Gan  Hexagonal Phase Content  4-circle X-ray Double Crystal Diffraction  Molecular-beam Epitaxy  Gallium Nitride  Thin-films  Silicon  Gaas  
Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials 会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:  Lin YW;  Pan Z;  Li LH;  Zhou ZQ;  Wang H;  Zhang W;  Lin YW Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Ganas  Dc Active N-2 Plasma  Molecular Beam Epitaxy  Nitrogen Content  Fourier Transform Infrared Spectroscopy Of Intensity  Band-gap Energy  Gaas1-xnx  Nitrogen  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Yang H;  Li JB;  Li SF;  Wang YT;  Zhao DG;  Wu RH;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100864,Peoples R China.
Adobe PDF(1465Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：857/193  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HL;  Ning D;  Zhu HJ;  Chen F;  Wang H;  Wang XD;  Feng SL;  Wang HL,Chinese Acad Sci,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Inst Semicond,POB 912,Beijing,Peoples R China.
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