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一种高速、高精度模/数(A/D)转换器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1999-10-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  石寅;  李世祖;  朱荣华;  王守觉
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一种高速模拟开关 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1999-09-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  石寅;  李世祖;  朱荣华;  王守觉
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高效发光二极管及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1999-07-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王国宏;  马骁宇;  曹青;  王树堂;  李玉璋;  陈良惠
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铌酸锂光波导调制器和微波共面传输线的理论研究 成果
1999
主要完成人:  祝宁华;  潘裕斌;  钟宝璇;  王仁明;  吴正德
收藏  |  浏览/下载：1382/0  |  提交时间：2010/04/13
铌酸锂  
670nm半导体量子阱激光器批量生产 成果
1999
主要完成人:  郭良;  马骁宇;  陈良惠;  王树堂;  李玉璋
收藏  |  浏览/下载：2570/0  |  提交时间：2010/04/13
670nm  
Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Peng CS;  Chen H;  Zhao ZY;  Li JH;  Dai DY;  Huang Q;  Zhou JM;  Zhang YH;  Tung CH;  Sheng TT;  Wang J;  Peng CS Chinese Acad Sci Inst Phys POB 603 Beijing 100080 Peoples R China.
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Threading Dislocation  Si(100)  Layers  Films  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han XF;  Zhang MC;  Qiao Y;  Yang FM;  Yang CP;  Liu GC;  Wang YZ;  Hu BP;  Han XF,Tohoku Univ,Grad Sch Engn,Dept Appl Phys,Aoba Ku,Sendai,Miyagi 9808579,Japan.
Adobe PDF(128Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1548/406  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu HJ;  Wang ZM;  Wang H;  Cui LQ;  Feng SL;  Zhu HJ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(98Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1068/434  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HL;  Zhu HJ;  Li Q;  Ning D;  Wang H;  Wang XD;  Deng YM;  Feng SL;  Wang HL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(126Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：886/235  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu SA;  Wang Q;  Li H;  Chen TL;  Liu SA,Nankai Univ,Dept Phys,Tianjin 300071,Peoples R China.
Adobe PDF(340Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：847/188  |  提交时间：2010/08/12