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一种全内反射半导体光波导开关 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1994-07-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  庄婉如;  杨培生;  石志文;  孙富荣;  高俊华;  段继宁;  邹正中
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MOCVD GaAlAs/GaAs超晶格量子阱材料的研制及应用 成果
1994
主要完成人:  杨辉;  梁骏吾;  邓礼生;  郑联喜;  胡雄伟
收藏  |  浏览/下载：1108/0  |  提交时间：2010/04/13
Mocvd  
低维半导体量子输运 成果
1994
主要完成人:  郑厚植;  周海平;  邵华;  李月霞;  杨富华
收藏  |  浏览/下载：1572/0  |  提交时间：2010/04/13
低维半导体  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张敬明;  徐遵图;  杨国文;  李世祖;  郑婉华;  肖建伟;  徐俊英;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋爱民;  郑厚植;  杨富华;  李月霞;  李承芳
Adobe PDF(477Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：941/375  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐波;  王占国;  万寿科;  孙虹;  张辉;  杨锡权;  林兰英;  Koutzarov I P
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