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自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-11-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘金龙;  李树深;  牛智川
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无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔利杰;  曾一平;  王保强;  朱战平
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输出波形可调密集波分复用系统集成器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李健;  胡雄伟;  王红杰;  安俊明
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提高半导体光电转换器件性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李建明;  种明;  杨丽卿;  徐嘉东;  胡传贤;  段晓峰;  高旻;  朱建成;  王凤莲
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新型平面型DFB内光栅耦合结构制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-07-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  朱洪亮;  王圩;  刘国利;  张静媛
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu M;  Zhang BS;  Chen J;  Liu JP;  Shen XM;  Zhao DG;  Zhang JC;  Wang JF;  Li N;  Jin RQ;  Zhu JJ;  Yang H;  Wu, M, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(218Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1170/450  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Zhang BS;  Wu M;  Li DB;  Zhang JC;  Jin RQ;  Zhu JJ;  Chen J;  Wang JF;  Wang YT;  Yang H;  Liu, JP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1020/330  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi GX;  Jin P;  Xu B;  Li CM;  Cui CX;  Wang YL;  Ye XL;  Wu J;  Wang ZG;  Shi, GX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gxshi@red.semi.ac.cn
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半导体纳米结构物理性质的理论研究 成果
2004
主要完成人:  夏建白;  李树深;  常凯;  朱邦芬
收藏  |  浏览/下载：1956/0  |  提交时间：2010/04/13
纳米结构  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang GX;  Li XQ;  Szeftel J;  Huang, GX, E China Normal Univ, Dept Phys, Shanghai 200062, Peoples R China.
Adobe PDF(63Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：892/321  |  提交时间：2010/03/09