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一种低功耗可编程增益放大器装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201110009965.3, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  李国锋;  吴南健
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CMOS图像传感器全局曝光像素单元 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102447848A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-05-09, 2012-08-29
发明人:  周杨帆;  吴南健;  曹中祥;  李全良;  秦琦
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染料敏化太阳能电池纳米复合光阳极的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280259A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-12-14, 2012-08-29
发明人:  王美丽;  李京波;  王岩
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纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102222572A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-10-19, 2012-08-29
发明人:  王美丽;  李京波;  王岩
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一种染料敏化太阳能电池复合电极及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157265A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-08-17, 2012-08-29
发明人:  王岩;  李京波;  王美丽
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在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:  贺继方;  尚向军;  倪海桥;  王海莉;  李密峰;  朱岩;  王莉娟;  喻颖;  贺正宏;  徐应强;  牛智川
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石墨烯片插层化合物制备方法及原位显微拉曼表征系统 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102156116A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-08-17, 2012-08-29
发明人:  谭平恒;  赵伟杰;  韩文鹏;  历巧巧;  姬扬
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制备Mn掺杂InP：Zn基稀磁半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102108483A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-06-29, 2012-08-29
发明人:  杨冠东;  朱峰;  李京波
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一种射频收发装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242352.7, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  耿志卿;  吴南健;  颜小舟;  章琪;  李国锋;  楼文峰
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基于并行处理的快速车道线检测装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033968.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  李元金;  张万成;  吴南健
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