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Temperature dependence of photoluminescence of flat and undulated SiGe/Si multiple quantum wells 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Cheng BW;  Zhang JG;  Zuo YH;  Mao RW;  Huang CJ;  Luo LP;  Yao F;  Wang QM;  Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Si-ge Alloys  Growth  Layers  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Yang SY;  Zhang FQ;  Li DB;  Chen YH;  Wang ZG;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng BW;  Zhang JG;  Zuo YH;  Mao RW;  Huang CJ;  Luo LP;  Yao F;  Wang QM;  Cheng BW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Zhang YH;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Lin LY;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(41Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1296/462  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang YC;  Wang ZG;  Xu B;  Liu FQ;  Chen YH;  Dowd P;  Zhang YC,Nanyang Technol Univ,Sch Elect & Elect Engn,Photon Lab 1,Nanyang Ave,Singapore 639798,Singapore.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu LW;  Zhang YH;  Xu ZT;  Xu ZY;  Wang ZG;  Wang J;  Ge WK;  Lu LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW;  Dong HW;  Chen YH;  Zhang YH;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Lin LY;  Fung S;  Zhao YW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu LW;  Zhang YH;  Wang J;  Ge W;  Lu LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(211Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：900/341  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙元平;  付羿;  渠波;  王玉田;  冯玉宏;  赵德刚;  郑新和;  段俐宏;  李秉臣;  张书明;  杨辉;  姜晓明;  郑文莉;  贾全杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  卢励吾;  张砚华;  徐遵图;  徐仲英;  王占国;  Wang J;  Ge Weikun
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