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| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012 发明人: 汤宝; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1689/287  |  提交时间:2010/03/19 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010 发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(550Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1581/257  |  提交时间:2010/03/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Guo J; Peng ZY; Lu ZX; Sun WG; Hao RT; Zhou ZQ; Xu YQ; Niu ZC; Guo J NW Polytech Univ Sch Mat Xian 710072 Peoples R China. Adobe PDF(475Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1149/346  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 郭杰; 彭震宇; 鲁正雄; 孙维国; 郝瑞亭; 周志强; 许应强; 牛智川 Adobe PDF(476Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1696/492  |  提交时间:2010/11/23 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1400/190  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(752Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1405/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1340/168  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 郭杰; 孙维国; 陈慧娟; 彭震宇; 鲁正雄; 郝瑞亭; 周志强; 许应强; 牛智川 Adobe PDF(422Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1025/379  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 郝瑞亭; 徐应强; 周志强; 任正伟; 牛智川 Adobe PDF(508Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1035/308  |  提交时间:2010/11/23 |
| 平板式电极结构 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-02-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刁宏伟; 廖显伯; 曾湘波; 郝会颖; 徐艳月; 张世斌; 胡志华 Adobe PDF(318Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1345/187  |  提交时间:2009/06/11 |