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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Yan J (Yan Jun); Sun CH (Sun Chenghua); Tan; FR (Tan Furui); Hu XJ (Hu Xiujie); Chen P (Chen Ping); Qu SC (Qu Shengchun); Zhou SY (Zhou Shuyun); Xu JK (Xu Jingkun); Zhou, SY, Chinese Acad Sci, Tech Inst Phys & Chem, Beijing 100190, Peoples R China. E-mail Address: zhou_shuyun@mail.ipc.ac.cn Adobe PDF(596Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2483/972  |  提交时间:2010/04/13 |
| 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19 发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青 Adobe PDF(785Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:961/72  |  提交时间:2014/12/25 |
| 在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05 发明人: 李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青 Adobe PDF(488Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:836/93  |  提交时间:2014/11/17 |
| 高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18 发明人: 周旭亮; 于红艳; 米俊萍; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:868/66  |  提交时间:2014/11/17 |
| 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26 发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青 Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:821/84  |  提交时间:2014/12/25 |
| ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22 发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青 Adobe PDF(491Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:939/83  |  提交时间:2014/11/24 |
| 在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-24 发明人: 李士颜; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青 Adobe PDF(492Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:749/84  |  提交时间:2014/11/24 |
| 在硅上集成HEMT器件的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01 发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青 Adobe PDF(456Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:720/93  |  提交时间:2014/11/24 |