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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang TM (Huang TianMao);  Chen NF (Chen NuoFu);  Zhang XW (Zhang XingWang);  Bai YM (BaiYiMing);  Yin ZG (Yin ZhiGang);  Shi HW (Shi HuiWei);  Zhang H (Zhang Han);  Wang Y (Wang Yu);  Wang YS (Wang YanShuo);  Yang XL (Yang XiaoLi);  Huang, TM, Chinese AcadSci, InstSemicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tmhuang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YS (Wang YanShuo);  Chen NF (Chen NuoFu);  Zhang XW (Zhang XingWang);  Bai;  YM (Bai YiMing);  Wang Y (Wang Yu);  Huang TM (Huang TianMao);  Zhang H (Zhang Han);  Shi HW (Shi HuiWei);  Wang, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yswang@semi.ac.cn;  nfchen@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang H (Zhang Han);  Chen NF (Chen NuoFu);  Wang Y (Wang Yu);  Zhang XW (Zhang XingWang);  Yin ZG (Yin ZhiGang);  Shi HW (Shi HuiWei);  Wang YS (Wang YanSuo);  Huang TM (Huang TianMao);  Bai YM (Bai YiMing);  Fu Z (Fu Zhen)
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利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  施辉伟;  陈诺夫;  黄添懋;  尹志岗;  吴金良;  张汉
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硅基III-V外延材料图形异质键合均匀轴向力施力装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-22
发明人:  张冶金;  郑婉华;  渠红伟
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基于倏逝场耦合及周期微结构选频的混合硅单模激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
发明人:  张冶金;  渠红伟;  王海玲;  马绍栋;  郑婉华
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基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-02
发明人:  张冶金;  王海玲;  渠红伟;  马绍栋;  郑婉华
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