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锆基过渡金属硫族化合物的制备及其光电性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  田琰
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锆基过渡金属硫族化合物的制备及其光电性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  田琰
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硅基III-V族量子点材料的外延生长及激光器制备 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  唐天义
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硅基III-V族量子点材料的外延生长及激光器制备 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  唐天义
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无权访问的条目 学位论文
作者:  于天
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III-V 族半导体纳米结构的MOCVD 生长和光学性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  李天锋
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiang Y (Xiang, Ying);  Liu YK (Liu, Yi-Kun);  Chen YH (Chen, Yong-Hai);  Guo YB (Guo, Yu-Bing);  Xu MY (Xu, Ming-Ya);  Ding Z (Ding, Zhen);  Xia T (Xia, Tian);  Wang JH (Wang, Jia-Hui);  Song YW (Song, Yi-Wu);  Yang MZ (Yang, Ming-Ze);  Wang E (Wang, Everett);  Song YH (Song, Yu-Hong);  Yang SL (Yang, Shun-Lin);  She GQ (She, Guang-Quan)
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在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  黄添懋;  陈诺夫;  施辉伟;  尹志岗;  吴金良;  王彦硕;  汪宇;  张汉
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
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