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| 锆基过渡金属硫族化合物的制备及其光电性质研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022 作者: 田琰 Adobe PDF(7278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:443/0  |  提交时间:2022/07/26 |
| 锆基过渡金属硫族化合物的制备及其光电性质研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022 作者: 田琰 Adobe PDF(7278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:391/2  |  提交时间:2022/07/25 |
| 硅基III-V族量子点材料的外延生长及激光器制备 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022 作者: 唐天义 Adobe PDF(36653Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:517/16  |  提交时间:2022/07/25 |
| 硅基III-V族量子点材料的外延生长及激光器制备 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022 作者: 唐天义 Adobe PDF(36653Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:419/6  |  提交时间:2022/07/25 |
| 无权访问的条目 学位论文 作者: 于天 Adobe PDF(9698Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:30/1  |  提交时间:2019/11/19 |
| III-V 族半导体纳米结构的MOCVD 生长和光学性质研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2012 作者: 李天锋 Adobe PDF(3115Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1693/87  |  提交时间:2012/06/26 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Xiang Y (Xiang, Ying); Liu YK (Liu, Yi-Kun); Chen YH (Chen, Yong-Hai); Guo YB (Guo, Yu-Bing); Xu MY (Xu, Ming-Ya); Ding Z (Ding, Zhen); Xia T (Xia, Tian); Wang JH (Wang, Jia-Hui); Song YW (Song, Yi-Wu); Yang MZ (Yang, Ming-Ze); Wang E (Wang, Everett); Song YH (Song, Yu-Hong); Yang SL (Yang, Shun-Lin); She GQ (She, Guang-Quan) Adobe PDF(1035Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:674/137  |  提交时间:2013/04/02 |
| 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 黄添懋; 陈诺夫; 施辉伟; 尹志岗; 吴金良; 王彦硕; 汪宇; 张汉 Adobe PDF(242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1750/254  |  提交时间:2011/08/31 |
| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11 发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平 Adobe PDF(544Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1377/136  |  提交时间:2014/11/24 |
| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12 发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平 Adobe PDF(241Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1600/130  |  提交时间:2014/11/24 |