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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lv XQ (Lv, Xue-Qin);  Zhang JY (Zhang, Jiang-Yong);  Ying LY (Ying, Lei-Ying);  Liu WJ (Liu, Wen-Jie);  Hu XL (Hu, Xiao-Long);  Zhang BP (Zhang, Bao-Ping);  Qui ZR (Qui, Zhi-Ren);  Kuboya S (Kuboya, Shigeyuki);  Onabe K (Onabe, Kentaro)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, Shi-Yong;  Zeng, Xiang-Bo;  Peng, Wen-Bo;  Yao, Wen-Jie;  Xie, Xiao-Bing;  Yang, Ping;  Wang, Chao;  Wang, Zhan-Guo;  Zeng, X.-B.(xbzeng@semi.ac.cn)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang GH (Tang Guang-Hua);  Xu B (Xu Bo);  Jiang;  LW (Jiang Li-Wen);  Kong JX (Kong Jin-Xia);  Kong;  N (Kong Ning);  Liang DC (Liang De-Chun);  Liang P (Liang Ping);  Ye XL (Ye Xiao-Ling);  Jin P (Jin Peng);  Liu FQ (Liu Feng-Qi);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Tang, GH, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tghsugar@semi.ac.cn
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一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  刘兴昉;  杨香;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  杨香;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  田丽欣;  刘敏;  申占伟;  赵万顺;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(1167Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：742/0  |  提交时间：2016/09/29
一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  刘兴昉;  杨香;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：554/3  |  提交时间：2016/09/28
一种三结叠层太阳能电池及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2015-04-22
发明人:  崔利杰;  刘超;  王晓东;  曾一平
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