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| AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 赵勇兵
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Algan/gan Hfet 特征导通电阻 击穿电压 增强型器件 阈值电压 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: X. L. HU; L. B. SUN; BEIBEI ZENG; L. S. WANG; Z. G. YU; S. A. BAI; S. M. YANG; L. X. ZHAO; Q. LI; M. QIU; R. Z. TAI; H. J. FECHT; J. Z. JIANG; D. X. ZHANG
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| LED可靠性技术与测试方法研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者: 赵璐冰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun B (Sun, Bo); Zhao LX (Zhao, Lixia); Wei TB (Wei, Tongbo); Yi XY (Yi, Xiaoyan); Liu ZQ (Liu, Zhiqiang); Wang GH (Wang, Guohong); Li JM (Li, Jinmin); Yi FT (Yi, Futing)
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| 倒装高压发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11
发明人: 郭金霞; 田婷; 赵勇兵; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽
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| 一种基于高压线性恒流电源的高压LED模组 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-11
发明人: 赵勇兵; 田婷; 詹腾; 郭金霞; 杨华; 伊晓燕; 李璟; 王国宏
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| 一种交流发光二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23
发明人: 田婷; 赵勇兵; 詹腾; 郭金霞; 伊晓燕; 刘志强; 李璟; 王国宏
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| 高压发光二极管芯片及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-03
发明人: 郭金霞; 闫建昌; 伊晓燕; 田婷; 詹腾; 赵勇兵; 宋昌斌; 王军喜
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| 高功率因数的LED驱动电路 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04
发明人: 赵勇兵; 田婷; 詹腾; 郭金霞; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王国宏; 李晋闽
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| AC-LED驱动电路 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04
发明人: 赵勇兵; 田婷; 詹腾; 郭金霞; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王国宏; 李晋闽
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