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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhu, JH (Zhu, J. H.)
;
Wang, LJ (Wang, L. J.)
;
Zhang, SM (Zhang, S. M.)
;
Wang, H (Wang, H.)
;
Zhao, DG (Zhao, D. G.)
;
Zhu, JJ (Zhu, J. J.)
;
Liu, ZS (Liu, Z. S.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Qiu, YX (Qiu, Y. X.)
;
Yang, H (Yang, H.)
;
Zhu, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1227/312
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提交时间:2010/03/08
1.3-1.55 微米 GaInNAs(Sb)/GaAs 量子阱生长与激光器制备研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:
赵欢
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浏览/下载:1476/73
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提交时间:2009/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
张爽
;
赵德刚
;
刘宗顺
;
朱建军
;
张书明
;
王玉田
;
段俐宏
;
刘文宝
;
江德生
;
杨辉
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浏览/下载:1274/328
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
张立群
;
张书明
;
江德生
;
朱建军
;
赵德刚
;
杨辉
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浏览/下载:1255/463
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提交时间:2010/11/23
提高氮化镓材料载流子迁移率的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵德刚
;
朱建军
;
杨辉
;
梁骏吾
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浏览/下载:1400/204
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提交时间:2009/06/11
一种测量小光斑尺寸的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵德刚
;
杨辉
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浏览/下载:1143/159
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提交时间:2009/06/11
提高GaN基pin结构性能的紫外探测器及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵德刚
;
杨辉
;
梁骏吾
;
李向阳
;
龚海梅
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提交时间:2009/06/11
提高GaN基肖特基结构性能的紫外探测器及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵德刚
;
杨辉
;
梁骏吾
;
李向阳
;
龚海梅
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王柱
;
柯君玉
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李辉
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庞锦标
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戴益群
;
赵有文
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
宋海明
;
韩海
;
赵柏秦
;
郑一阳
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提交时间:2010/11/23