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GaN基日盲型紫外探测器面阵及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-16, 2010-08-12
发明人:  颜廷静;  苏艳梅;  王国东;  种 明
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用于高倍聚光太阳电池系统的软键合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-20, 2010-08-12
发明人:  崔 敏;  陈诺夫;  王彦硕;  白一鸣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Y;  Chen NF;  Zhang XW;  Chen XF;  Yang XL;  Yin ZG;  Bai YM;  Wang Y Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: ywang@semi.ac.cn;  nfchen@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu L;  Chen NF;  Wang Y;  Bai YM;  Cui M;  Gao FB;  Liu L Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lliu@semi.ac.cn
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In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:  Sun, GS;  Zhao, YM;  Wang, L;  Zhao, WS;  Liu, XF;  Ji, G;  Zeng, YP;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(273Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1721/274  |  提交时间：2010/03/09
In-situ Doping  Boron  Aluminum  Memory Effects  Hot-wall Lpcvd  4h-sic  
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:  Zhao, YM;  Sun, GS;  Liu, XF;  Li, JY;  Zhao, WS;  Wang, L;  Li, JM;  Zeng, YP;  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Silicon Carbide  Aluminum Nitride  Buffer Layer  Lpcvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wen C;  Wang YM;  Wan W;  L, FH;  Liang JW;  Zou J;  Li, FH, Chinese Acad Sci, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, Inst Phys, Beijing 100190, Peoples R China. 电子邮箱地址: lifh@aphy.iphy.ac.cn;  j.zou@uq.edu.au
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, JQ (Liu, J. Q.);  Wang, JF (Wang, J. F.);  Qiu, YX (Qiu, Y. X.);  Guo, X (Guo, X.);  Huang, K (Huang, K.);  Zhang, YM (Zhang, Y. M.);  Hu, XJ (Hu, X. J.);  Xu, Y (Xu, Y.);  Xu, K (Xu, K.);  Huang, XH (Huang, X. H.);  Yang, H (Yang, H.);  Xu, K, Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215125, Peoples R China. 电子邮箱地址: kxu2006@sinano.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘磊;  陈诺夫;  汪宇;  白一鸣;  崔敏;  高福宝
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一种组合式聚光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  崔敏;  王彦硕;  白一鸣;  吴金良;  黄添懋
Adobe PDF(473Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1537/255  |  提交时间：2009/06/11