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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang PF;  Xiong YH;  Wang HL;  Huang SS;  Ni HQ;  Xu YQ;  He ZH;  Niu ZC;  Wang PF Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattice & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: pfwang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HL (Wang Hai-Li);  Xiong YH (Xiong Yong-Hua);  Huang SS (Huang She-Song);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  He ZH (He Zhen-Hong);  Dou XM (Dou Xiu-Ming);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Wang, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hao RT (Hao Ruiting);  Xu YQ (Xu Yingqiang);  Zhou ZQ (Zhou Zhiqiang);  Ren ZW (Ren Zhengwei);  Ni HQ (Ni Haiqiao);  He ZH (He Zhenhong);  Niu ZC (Niu Zhichuan);  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hao RT (Hao Ruiting);  Xu YQ (Xu Yingqiang);  Zhou ZQ (Zhou Zhiqiang);  Ren ZW (Ren Zhengwei);  Ni HQ (Ni Haiqiao);  He ZH (He Zhenhong);  Niu ZC (Niu, Zhichuan);  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tangring, I;  Ni, HQ;  Wu, BP;  Wu, DH;  Xiong, YH;  Huang, SS;  Niu, ZC;  Wang, SM;  Lai, ZH;  Larsson, A;  Tangring, I, Chalmers, Dept Microtechnol & Nanosci, S-41296 Gothenburg, Sweden. 电子邮箱地址: ivar.tangring@mc2.chalmers.se
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu DH;  Niu ZC;  Zhang SY;  Ni HQ;  He ZH;  Zhao H;  Peng HL;  Yang XH;  Han Q;  Wu RH;  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zcniu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu DH;  Niu ZC;  Zhang SY;  Ni HQ;  He ZH;  Sun Z;  Han Q;  Wu RH;  Wu, DH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wudonghai@red.semi.ac.cn;  zcniu@red.semi.ac.cn
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1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy 会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:  Niu, ZC;  Zhang, SY;  Ni, HQ;  Wu, DH;  He, ZH;  Sun, Z;  Han, Q;  Wu, RG;  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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Improved Luminescence Efficiency  Temperature  Photoluminescence  Nitrogen  Origin  Diodes  
高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang SY;  Niu ZC;  Ni HQ;  Wu DH;  He ZH;  Sun Z;  Han Q;  Wu RH;  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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