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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu J;  Xu PF;  Zhu YG;  Meng HJ;  Chen L;  Wang WZ;  Zhang XH;  Zhao JH;  Pan GQ;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jhzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(265Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1241/501  |  提交时间：2010/04/04
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin, GQ;  Zeng, YP;  Wang, XL;  Liu, HX;  Lin, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lingq@semi.ac.cn
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Si 基及图形衬底GaN 异质外延研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  林郭强
Adobe PDF(2045Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：948/44  |  提交时间：2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  林郭强;  曾一平;  段瑞飞;  魏同波;  马平;  王军喜;  刘喆;  王晓亮;  李晋闽
Adobe PDF(900Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2420/467  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  林郭强;  曾一平;  王晓亮;  刘宏新
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制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1601/189  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  韩根全;  林桂江;  余金中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李宁;  张国强;  刘忠立;  范楷;  郑中山;  林青;  张正选;  林成鲁
Adobe PDF(291Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：865/213  |  提交时间：2010/11/23
Radiation response of partially-depleted MOS transistors fabricated in the fluorinated SIMOX wafers 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Li, N;  Zhang, GQ;  Liu, ZL;  Fan, K;  Zheng, ZS;  Lin, Q;  Zhang, ZX;  Lin, CL;  Li, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Simox  Fluorine  Ionizing Radiation  
Influence of fluorine on radiation-induced charge trapping in the SIMOX buried oxides 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Zhang, GQ;  Liu, ZL;  Li, N;  Zhen, ZS;  Liu, GH;  Lin, Q;  Zhang, ZX;  Lin, CL;  Zhang, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(144Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1707/231  |  提交时间：2010/03/29
Fluorine  Simox  Charge Trapping  Radiation  Sio2